جستجوی مقالات مرتبط با کلیدواژه « discrete GaN HEMT transistors » در نشریات گروه « فناوری اطلاعات »
تکرار جستجوی کلیدواژه «discrete GaN HEMT transistors» در نشریات گروه «فنی و مهندسی»-
This paper presents different steps of simulation and fabrication of a power amplifier, which was realized using a discrete GaN HEMT transistor in the frequency range of 8.8-9.2 GHz. The required wire bonds and matching circuits were characterized using three-dimensional simulations in HFSS and Momentum ADS software. The fabricated power amplifier provides an output power of 3.5W and a power gain of 13 dB.
Keywords: GaN HEMT, discrete GaN HEMT transistors, matching circuit, output power, X-band}
نکته
- نتایج بر اساس تاریخ انتشار مرتب شدهاند.
- کلیدواژه مورد نظر شما تنها در فیلد کلیدواژگان مقالات جستجو شدهاست. به منظور حذف نتایج غیر مرتبط، جستجو تنها در مقالات مجلاتی انجام شده که با مجله ماخذ هم موضوع هستند.
- در صورتی که میخواهید جستجو را در همه موضوعات و با شرایط دیگر تکرار کنید به صفحه جستجوی پیشرفته مجلات مراجعه کنید.