به جمع مشترکان مگیران بپیوندید!

تنها با پرداخت 70 هزارتومان حق اشتراک سالانه به متن مقالات دسترسی داشته باشید و 100 مقاله را بدون هزینه دیگری دریافت کنید.

برای پرداخت حق اشتراک اگر عضو هستید وارد شوید در غیر این صورت حساب کاربری جدید ایجاد کنید

عضویت

جستجوی مقالات مرتبط با کلیدواژه « large deection » در نشریات گروه « مکانیک »

تکرار جستجوی کلیدواژه «large deection» در نشریات گروه «فنی و مهندسی»
  • مهدی مجاهدی*، سپهر حکمی ها

    در این نوشتار ناپایداری کششی و جابه جایی میکروسوئیچ های میکروالکترومکانیک بررسی می شود. یک مدل غیر خطی استاتیکی همراه با در نظر گرفتن اثرات میدان های حاشیه یی و نظریه ی غیر کلاسیک کوپل تنش اصلاحی برای میکروسوئیچ ارائه شده است. این مدل از یک میکروتیر یک سرگیردار تشکیل شده که با یک فاصله ی اولیه نسبت به یک الکترود ثابت قرار گرفته و با اعمال ولتاژ به سمت آن خمیده می شود. معادلات استاتیکی حاکم با استفاده از روش کمینه سازی انرژی پتانسیل استخراج شده و با کمک روش های گلرکین، عددی و اجزاء محدود اقدام به حل معادلات می شود. اثرات پارامترهای مختلف بر ناپایداری استاتیکی میکروسوئیچ بررسی می شود و خطاهای ناشی از در نظر گرفتن مدل خطی یا نظریه های غیر کلاسیک محاسبه می شود. نتایج نشان می دهد که مدل ارائه شده به خوبی قادر به پیش بینی رفتار استاتیکی سازه و محدوده ی ناپایداری استاتیکی است.

    کلید واژگان: سیستم میکروالکترومکانیک, ناپایداری کششی استاتیکی, نظریه ی کوپل تنش اصلاحی, میدان حاشیه یی, جابه جایی های بزرگ}
    M. Mojahedi *, S. Hakamiha

    Microelectromechanical systems (MEMS) are used in many elds of industry like automotive, aerospace and medical instruments. Among the various ways to operate the MEMS devices, the electrostatic actuator is the common mechanism, due to simplicity and fast response. Previous experiments have shown that the mechanical behavior of devices, which their sizes are in order of micron and submicron, are dependent to size dependency. They also have illustrated that by decreasing the dimension of structures, the size dependent e ect is highlighted. In this case, the classical theories are not capable to predict the size dependent e ects and mechanical behavior of the microstructures properly. Therefore, nonclassical theories such as modi ed couple stress and strain gradient theories have been introduced. It was shown that the modi ed couple stress theory can accurately predict the size dependent behavior of microstructures. There are some in uences observed in the MEMS, that they have notable e ects on the mechanical behavior of microswitches, such as fringing elds and large de- ection. When the air gap is larger than the electrode's width of microswitches, the impacts of fringing elds and geometric nonlinearity signi cantly a ect the mechanical behavior of the system. Therefore, neglecting the abovementioned e ects leads to errors in the instability prediction of microswitches. Most of microswitches consist of a microcantilever with a proof mass and a xed substrate which there is an air gap between them. By applying voltage to the system, the microcantilever starts to de ect into the xed substrate. In this paper, pull-in instability and de ection of MEMS switches are investigated based on the size dependent model. The nonlinear model is introduced by considering modi ed couple stress theory and fringing eld e ects as well as geometric nonlinearity. Utilizing the minimum total potential energy principle, the static equation of motion is derived in framework of the nonclassical theory. The e ects of various parameters on static pull-in instability are studied and errors of considering the linear model or classical theories is calculated. The results show that the presented model is capable to predict the displacement and pull-in instability of the microswitches.

    Keywords: MEMS, static pull-in instability, modi edcouple stress theory, fringing feld, large deection}
نکته
  • نتایج بر اساس تاریخ انتشار مرتب شده‌اند.
  • کلیدواژه مورد نظر شما تنها در فیلد کلیدواژگان مقالات جستجو شده‌است. به منظور حذف نتایج غیر مرتبط، جستجو تنها در مقالات مجلاتی انجام شده که با مجله ماخذ هم موضوع هستند.
  • در صورتی که می‌خواهید جستجو را در همه موضوعات و با شرایط دیگر تکرار کنید به صفحه جستجوی پیشرفته مجلات مراجعه کنید.
درخواست پشتیبانی - گزارش اشکال