به جمع مشترکان مگیران بپیوندید!

تنها با پرداخت 70 هزارتومان حق اشتراک سالانه به متن مقالات دسترسی داشته باشید و 100 مقاله را بدون هزینه دیگری دریافت کنید.

برای پرداخت حق اشتراک اگر عضو هستید وارد شوید در غیر این صورت حساب کاربری جدید ایجاد کنید

عضویت

جستجوی مقالات مرتبط با کلیدواژه « avrami growth model » در نشریات گروه « مواد و متالورژی »

تکرار جستجوی کلیدواژه «avrami growth model» در نشریات گروه «فنی و مهندسی»
  • الهام محقق پور*، مجید مجتهدزاده لاریجانی، مرجان رجبی، رضا غلامی پور، مجید ملک

    سینتیک رشد لایه نازک کربن آمورف طی فرآیند انباشت در رابطه با مورفولوژی سطح و تحولات ساختاری لایه‏ها بررسی شد. لایه نازک کربن آمورف با استفاده از روش کندوپاش پرتو یونی بر سطح شیشه انباشت شد. بر اساس مدل آورامی، رشد لایه نازک کربن آمورف در ضخامتهای بالاتر از nm 56 (بعد از s 900 انباشت) به صورت 2 بعدی انجام می شود و معادله پیشنهادی جهت بررسی فرآیند رشد در تحقیق حاضر به صورت V=1-exp⁡(-2×〖10〗^(-7) t^2) می‏باشد. تغییرات نرخ ضخامت مانند مدل پیشنهادی آورامی از یک نمودار S شکل در بازه زمانی s300 تا s 4500 تبعیت می‏کند. به این صورت که سرعت افزایش ضخامت در مراحل اولیه و انتهای فرآیند لایه نشانی کم است، در حالی که در میانه مسیر زیاد می‏باشد. بررسی مورفولوژی سطح لایه‏ها نشاندهنده ارتباط زبری سطح با تحولات ساختاری لایه ها تحت تاثیر افزایش ضخامت می باشد. بر اساس نتایج طیف رامان، حداکثر جابجایی مکان پیک G در نمونه انباشت شده با ضخامت nm 360 همراه با کاهش نرخ رشد لایه ایجاد می شود. نسبت ID/IG، اندازه خوشه های گرافیتی با پیوند sp2 (La) و زبری لایه مذکور به ترتیب برابر با 2/1 و nm 48/1 و nm 80/4±39/20 می‏باشد.

    کلید واژگان: لایه نازک, کربن آمورف, سینتیک رشد, مدل رشد آورامی, کندوپاش پرتو یونی}
    Elham Mohagheghpour *, Majid Mojtahedzadeh Larijani, Marjan Rajabi, Reza Gholamipour, Majid Malek

    The growth kinetic of amorphous carbon (a-C) thin films was investigated in the relation to the surface morphology and structural transformations. The a-C thin films were deposited by ion beam sputtering technique on the glass substrate. According to Avrami's model, the growth at the thickness above 56 nm (after 900 s deposition) is two-dimensional and the proposed equation for investigating about the growth process of amorphous carbon thin film in the present study is as follows: V=1-exp⁡(-2×〖10〗^(-7) t^2 ). Transformations of the thickness is similar to proposed Avrami's model follow a characteristic s-shaped, or sigmoidal, profile during deposition time from 300s to 4500s, where the transformation rates are low at the beginning and the end of the transformation but rapid in between. Surface roughness and structural transformation depend on the film thickness. Raman spectra showed the maximum displacement in G peak position created in the film thickness equal 360 nm with the reduction of the growth rate. The ID/IG ratio, the size of graphite crystallites with sp2 bonds (La) and the roughness of this layer is equal to 1.2, 1.48 nm and 20.39±4.8 nm, respectively.

    Keywords: Thin film, Amorphous carbon, Growth Kinetic, Avrami growth model, Ion beam sputtering deposition}
نکته
  • نتایج بر اساس تاریخ انتشار مرتب شده‌اند.
  • کلیدواژه مورد نظر شما تنها در فیلد کلیدواژگان مقالات جستجو شده‌است. به منظور حذف نتایج غیر مرتبط، جستجو تنها در مقالات مجلاتی انجام شده که با مجله ماخذ هم موضوع هستند.
  • در صورتی که می‌خواهید جستجو را در همه موضوعات و با شرایط دیگر تکرار کنید به صفحه جستجوی پیشرفته مجلات مراجعه کنید.
درخواست پشتیبانی - گزارش اشکال