مطالعه خواص الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی (Cu2-II-IV-VI4(II=Zn،Cd; IV=Ge،Sn; VI=S،Se،Te با استفاده از تقریب های GGA و mBJ-GGA

در این مطالعه، با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی، ویژگی های الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی Cu2-II-IV-VI4(II=Zn،Cd; IV=Ge،Sn; VI=S،Se،Te) در ساختار حالت پایه بررسی و نتایج به دست آمده با داده های تجربی موجود مقایسه شده اند. ویژگی های اپتیکی با محاسبه قسمت های حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، طیف اتلاف انرژی الکترون و ضریب جذب با استفاده از تقریب فاز کاتوره ای (RPA) بررسی شده است. ضمن تحلیل ساختارهای اصلی در طیف های قسمت حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک و اتلاف انرژی الکترون، مقادیر ثابت دی الکتریک استاتیک برای این ترکیبات محاسبه شده است. برجسته ترین ویژگی این ترکیبات، ضریب جذب بالا و طیف جذب پهن آن ها می باشد که پارامتر مناسبی جهت بکارگیری در سلول های خورشیدی است. در بررسی خواص الکترونی، ساختار نواری ترکیبات با استفاده از سه تقریب PBE-GGA، EV-GGA و mBJ-GGA محاسبه و تاثیر تابعی تبادلی-همبستگی بر روی گاف این ترکیبات بررسی شده است. در مقایسه با GGA، انرژی گاف از روش mBJ-GGA توافق بهتری با نتایج تجربی موجود دارد.