تهیه و مشخص هیابی لایه نازک اکسیدروی با ناخالصی ایندیم به عنوان مولد جریان

در این پژوهش به روش سل-ژل، سل های با غلظت بالای اکسیدروی، همراه با ناخالصی ایندیم با غلظت های بین 1 تا 3 درصد اتمی تهیه و سپس تغییرات پهنای گاف انرژی و خواص نوری آن ها مورد بحث و بررسی قرار گرفته است. تمامی نمون ه ها از شفافیت اپتیکی بیش از 90 درصد در طول موج های بین 400 تا 800 نانومتر برخوردارند. در ادامه لایه نازک IZO به روش لایه نشانی غوطه وری تهیه شد و خواص ترموالکتریکی آن توسط آزمایش اثر هال و س یبک مورد مشخص هیابی قرار گرفت. نتایج نشان دادند این لایه دارای خواص منحصر به فرد ترموالکتریکی است و می تواند گزین هی مناسبی برای کاربردهای اپتوالکترونیکی، به عنوان مولد جریان باشد. تصویر میکروسکوپ الکترونی روبشی نمونه لایه ی نازک IZO سایز متوسط دانه را حدود 40 نانومتر نشان داد.