تحلیل و مدل سازی آماری تغییرات تصادفی CMRR و PSRR در تقویت کننده هدایت انتقالی فناوری CMOS نانومتری

با پیشرفت فناوری مدارهای مجتمع و ورود ترانزیستورها به مقیاس های نانومتری، تغییرات آماری مشخصات الکتریکی افزاره ها به علت ماهیت گسسته بار و ماده و تغییرات تصادفی ناشی از نوسانات پروسه ساخت به طور چشم گیری افزایش پیدا کرده است. این تغییرات به نوبه خود باعث تغییر در مشخصه های خروجی بلوک های مهم آنالوگ و علی الخصوص تقویت کننده ها می شود. در این مقاله به کمک شبیه سازی مونت کارلو یک مدار تقویت کننده هدایت انتقالی و استفاده از 1000 مدل فشرده متفاوت برای ترانزیستورهای MOSFET در فناوری 35 نانومتر، تغییرات آماری پارامترهای مهم مدار از لحاظ نحوه توزیع آماری، بررسی و آنالیز گردیده و مدل وابستگی آماری بین پارامترهای مهم مدار نیز استخراج شده است. تحلیل تغییرات آماری پارامترهای خروجی مدار و وابستگی آنها، دارای نتایج مستقیم در کاهش هزینه و زمان طراحی مدار بوده و حایز اهمیت فراوانی است.