پاسخ پلاسمونیکی تنظیم پذیر دیسک های دوتایی متصل به هم بر پایه ی ایندیوم آنتی موناید در بازه ی تراهرتز

در این مقاله به صورت عددی خواص نوری ساختار پلاسمونیکی متشکل از آرایه ی متناوب دیسک های دوتایی متصل به هم مبتنی بر نیمه هادی ایندیوم آنتی موناید (InSb) به کمک روش تفاضل محدود حوزه ی زمان ( FDTD) در بازه تراهرتز بررسی شده است. نتایج شبیه سازی نشان دهنده پدیدار شدن دو مد پلاسمونی تراهرتز است که به ترتیب مد پلاسمونی انتقال بار و مد پلاسمونی دو قطبی پیوندی می باشد. مد پلاسمونی انتقال بار ناشی از مسیر ارتباطی رسانای بین دو دیسک و مد پلاسمونی دو قطبی پیوندی ناشی از جفت شدگی پلاسمون ها است. نشان داده شده است که با تغییر پارامترهای هندسی راه ارتباطی رسانای بین دو دیسک خواص نوری ساختار پیشنهادی قابلیت تنظیم پذیری بالایی دارد. کاهش طول پل ارتباطی بین دو دیسک باعث افزایش شدت میدان الکتریکی حبث شده در فاصله ی بین دو دیسک، و افزایش عرض مسیر ارتباطی به ترتیب باعث کاهش و افزایش دامنه ی مد پلاسمونی انتقال بار و مد پلاسمونی دوقطبی پیوندی می شود. ساختار پیشنهادی در بازه 0.1 تا 2.2 تراهرتز حساس به زاویه ی پولاریزاسیون نور تابشی است که قابلیت ساختار برای عمل به عنوان سوئیچ حساس به پلاریزاسیون در بازه تراهرتز را نشان می دهد. این ساختار پلاسمونیکی می تواند کاربردهای قابل توجهی در زمینه ی امنیت، عکسبرداری و طیف-سنجی در بازه تراهرتز داشته باشد.