بررسی ویژگی های ساختاری و الکتریکی لایه های نازک پنتااکسید وانادیوم آلاییده با ایندیوم تهیه شده به روش گرما کافت افشانه ای

نانوساختارهای پنتااکسید وانادیوم آلاییده با درصدهای وزنی مختلف ایندیوم (0، 10، 20 و at.%30 در محلول) به روش گرما کافت افشانه ای (اسپری پایرولیزیز) تهیه شدند. لایه های نازک تهیه شده به کمک پراش پرتو ایکس(XRD)، تصویربرداری با میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و آزمایش اثر هال مشخصه یابی شدند. نتایج XRD نشان داد که لایه های نازک در فاز چارگوشی بلوری می شوند. افزایش مقدار ایندیوم به شدت منجر به افزایش بی نظمی نانوساختارها و کاهش اندازه بلورک ها شده به طوری که اندازه بلورک ها با افزودن 30% وزنی ایندیوم به پنتااکسید وانادیوم تا بیش از 50% نسبت به نمونه خالص کاهش یافته است. تصاویر SEM لایه ها را نانوساختارهای تک فاز تشکیل شده از نانومیله و نانوتسمه هایی با پهنای متوسط nm 100-50 نشان داد. اندازه گیری های اثر هال نشان داد که نمونه های مورد بررسی همه نیمرسانای نوع n هستند و مقاومت آنها با افزایش ایندیوم افزایش یافته است که این را نیز می توان به افزایش بی نظمی ساختاری نمونه ها نسبت داد.