طراحی یک مدار ضرب کننده آنالوگ برمبنای حلقه translinear در حالت جریان با توان مصرفی پایین و دقت بالا

در این مقاله یک مدار ضرب کننده CMOS آنالوگ چهار ربع جدید در حالت جریان که مبتنی بر دو جفت حلقه translinear دوگان می باشد ارایه می گردد. ویژگی های مهم مدار عبارتند از پهنای باند بالا، توان مصرفی کم و آزادبودن از اثر بدنه،که علت اصلی آن دوگان بودن مدار به این صورت که در هر حلقه translinear دوگان از دو NMOS و دو PMOS استفاده شده است. علاوه بر این، اعوجاج هارمونیک ناشی از ناهمگونی در سیگنال های ورودی (IX , IY)، پارامترهای هدایت انتقالی (K)  و ولتاژ آستانه (Vth) مورد بحث قرار گرفته است که نتایج حاکی از این است که مدار در برابر ناهمگونی بسیار مقاوم می باشد. به منظور بررسی عملکرد درست مدار ضرب کننده، از آن در دو کاربرد پراستفاده یعنی مدولاتور دامنه و دو برابرکننده فرکانس استفاده شده است که نتایج شبیه سازی آن ارایه شده است. این مدار با استفاده از شبیه ساز HSPICE با مدل TSMC مرحله 49 (BSIM3v3) در تکنولوژی 0.18 میکرومتر استاندارد CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. که نتایج حاکی از خطای غیرخطی 0.62 درصد، اعوجاج هارمونیک کل 1/1 در فرکانس 1 مگا هرتز، پهنای باند 1.15 گیگا هرتز و حداکثر توان مصرفی 93.7 میکرو وات می باشد.