تحلیل محاسباتی نقش پروتون های کم انرژی در وقوع به هم ریختگی های تک حادثه ای بر یک حافظه SRAM با فن آوری 65 نانومتری CMOS

در این تحقیق به تحلیل محاسباتی نوعی از اثرات پرتو بر قطعات الکترونیک تحت عنوان به هم ریختگی های تک حادثه ای (SEU) با استفاده از کد Geant4 پرداخته شد و نتایج، با مقادیر گزارش شده در یک کار تجربی مشابه و یک کار شبیه سازی با کد مونت کارلوی CRÈME-MC مقایسه گردید. به هم ریختگی های تک حادثه ای رخدادهای رایجی هستند که به طور ناگهانی و با تغییر حالت منطقی قطعه (تبدیل 0 به 1 یا بالعکس) موجب اختلال در عملکرد آن می شوند. در شبیه سازی های انجام شده سطح مقطع به هم ریختگی ناشی از پروتون های کم تر از MeV 10 برای یک حافظه SRAM با فن آوری 65 نانومتری CMOS به دست آمد و میزان اثربخشی ذرات و نیز سازوکار ایجاد به هم ریختگی تجزیه و تحلیل شد. نتیجه تحلیل ها نشان دادند، بیش ترین میزان به هم ریختگی ناشی از پروتون های با انرژی کم تر از MeV 1 تحت سازوکار یونش مستقیم و در نتیجه قرارگیری طیف پروتون هایی درون حجم حساس است که بیش ترین توان ایستانندگی را دارند. هم چنین نتایج محاسبات نشان دادند، در انرژی های بین MeV 2 تا MeV 10 پروتون فرودی، سیلیکون های پس زده ناشی از پراکندگی کشسان پروتون ها درون حجم حساس در وقوع به هم ریختگی نقش غالب دارند و سهم پروتون ها و سایر ذرات تولید شده در لایه های قبل از حجم حساس در مقایسه با سیلیکون پس زده ناچیز است.