بلور فوتونی یک بعدی تشدیدی مبتنی بر نقاط کوانتومی InAs/InGaAs: ساختاری با پاسخ دهی تنظیم پذیر برای کاربردهای مخابرات نوری

در این مقاله دو ساختار بلور فوتونی تشدیدی پیشنهاد می گردد که پاسخ اپتیکی آن ها علاوه بر مدولاسیون تابع دی الکتریک در بلور، وابسته به اندرکنش تحریک های درونی با امواج تابیده به ساختار می باشد. لایه های متناوب GaAs به عنوان لایه سد و نقاط کوانتومی InAs/InGaAs لایه دوقطبی فعال به عنوان بلوک های اصلی تشکیل دهنده بلورها انتخاب شده اند. نظم بلوری ساختارها با وارد کردن لایه های نقص عمدی بهم ریخته شده است. روش ماتریس انتقال برای ارزیابی مشخصه های اپتیکی بلورها مورد استفاده قرار گرفته و به منظور مدل بندی شرایط واقعی، نقش پذیرفتاری موثر اکسایتونی و عوامل پهن شدگی های همگن و ناهمگن نیز لحاظ گردیده که در مطالعات قبلی بسیار کمتر مورد توجه بوده اند. وابستگی پاسخ دهی نمونه ها اعم از پهنا و محدوده طول موجی ناحیه باند توقف و مدهای تشدیدی به پارامترهای ساختاری همچون تعداد لایه های تناوبی، ضخامت لایه های سد و نقطه کوانتومی و همچنین میزان همگن بودن لایه ها در گام اول مورد بررسی قرار می گیرد. پس از استخراج مقادیر بهینه، تنظیم پذیری مشخصه های اپتیکی با عوامل خارجی همچون دمای بلور و زاویه تابش نور به آن بصورت منسجم ارزیابی می گردند. نتایج نشانگر پتانسیل بالای ساختارهای پیشنهادی برای کاربردهایی همچون فیلتر ها، تفکیک کننده های فرکانسی و سویچ های تمام نوری تنظیم پذیر می باشند.