بهبود عملکرد دیود اثر میدانی به منظور کاربرد در تکنولوژی نانو

یکی از مشکلات اصلی دیودهای اثر میدانی(FED)،  افزایش جریان خاموشی ان با کاهش طول کانال می باشد. از این رو در این مقاله ساختار جدیدی ارایه شده است که با کاهش سطح اشتراک کانال با نواحی سورس و درین و بدون نیاز به مخازن ها میزان تزریق حامل های اضافی به کانال کاهش یافته و کنترل گیت  بر کانال افزایش می یابد. با تکنیک به کار رفته و بدون نیاز به مخازن ها حجم نواحی سورس و درین نسبت به ساختار دیوداثرمیدانی با اتصال جانبی(S-FED)  افزایش یافته و موجب بهبود جریان روشن می شود از این رو با مقایسه ساختار ارایه شده و S-FED نشان داده می شود که پارامترهای مهمی همچون  جریان روشن، نسبت جریان روشن به خاموش ، تاخیر گیت و حاصلضرب انرژی درتاخیرگیت  بهبود بخشیده شده است و لذا ساختار ارایه شده می تواند جایگزین مناسبی برای ساختار های متداول باشد.