طراحی یک تقویت کننده کم نویز یکپارچه در باند Ka با استفاده از فناوری μm InGaAs pHEMT 15/0

در این مقاله، یک تقویت کننده کم نویز در باند Ka به صورت یکپارچه با استفاده از فناوری µm InGaAs pHEMT 15/0 برای کاربرد در گیرنده های ماهواره ای ارایه می گردد. این تقویت کننده که متشکل از سه طبقه می باشد پس از طراحی و شبیه سازی، جانمایی شده و به صورت تمام موج شبیه سازی شده است. حداکثر عدد نویز تقویت کننده در بازه فرکانسی GHz 32 تا GHz 37 برابر با dB 8/1 و محدوده تغییرات بهره برابر dB 4/0 ± 7/20 به دست آمده است. میزان تلفات بازگشتی در ورودی و خروجی نیز بهتر از dB 16 و نقطه فشردگی بهره dB 1 در خروجی برابر با dBm 13 حاصل شده است. مساحت کل اشغال شده طرح نهایی برابر با mm2 3/1 × 6/1 می باشد. تقویت کننده های طبقات مختلف از نوع سورس مشترک با پیکربندی source degenerated بوده و تلاش شده است تا حد امکان تطبیق امپدانس با استفاده از خط انتقال بجای سلف پیاده سازی شود. پایداری مدار نیز در بازه فرکانسی وسیع تاGHz  45 برآورده شده که برای بهبود آن از یک مقاومت و مدار تشدید موازی در مسیر تغذیه کمک گرفته شده است.