تاثیر فشار هیدرواستاتیک برمینیمم نویز ترانزیستورهای AlGaN/GaN با تحرک بالای الکترونی

در این مقاله، مدل عددی برای محاسبه چگالی و جریان الکترونی چاه کوانتم ترانزیستورهای AlGaN/GaN با در نظر گرفتن فشارهیدرواستاتیکی ارایه شده است که امکان بررسی اثر فشار روی رسانندگی متقابل، ساب باند های چاه کوانتمی، جریانهای نشت سطحی و حجمی و نهایتا مینیمم نویز را فراهم می کند. دراین مدل از حل خودسازگار معادله شرودینگر و پواسون در بدست آوردن چگالی گاز الکترونی دو بعدی استفاده شده که در آن تا پنج ساب باند انرژی در نظر گرفته شده است. افزایش فشارمعادل گیت مجازی در ترانزیستورها در مجاورت گیت حقیقی عمل میکند که باعث افزایش عمق چاه کوانتم، جریان و چگالی الکترونی، رسانندگی متقابل، جریانهای نشت ونهایتا مینیمم نویز میگردد. با افزایش فشار ساب باندها چاه کوانتم دو بعدی به سمت پایین فشرده می شود و الکترون ها بستگی قوی پیدا می کنند و محدودیت کوانتمی افزایش می یابد . همچنین در هر فرکانس و جریان درین سورس دلخواهی افزایش فشار باعث افزایش مینیمم نویز می شود. نتایج محاسبه شده با داده های تجربی موجود مطابقت خوبی دارند.