بررسی ویژگی های ساختاری و نوری و الکتریکی لایه های نازک پروسکایتی C‏H3NH3SnICl2 و CH(NH2)2SnICl2 سنتز شده به روش پوشش دهی چرخشی تک مرحله ای

لایه های نازک پروسکایتی  CH3NH3SnICl2 (MASnICl2)  و  CH(NH2)2SnICl2 (FASnICl2)  به روش پوشش دهی چرخشی تک مرحله ای بر زیر لایه های شیشه ای نهشته شدند و ویژگی های ساختاری ، نوری و الکتریکی آنها بررسی گردید. مشخصه یابی ساختاری این لایه ها نشان داد که همه آنها دارای ساختار چارگوشی پروسکایت (فاز (α هستند و با تغییر کاتیون های آلی CH(NH2)2I ((FAI وCH3NH3I  (MAI)کیفیت بلورینگی و ریخت سطح نمونه ها به طور محسوسی تغییر می کنند. اثر این تغییرات بر ویژگی های الکتریکی و نوری لایه ها نیز دیده شد. لایه های پروسکایتی تهیه شده دارای ضریب جذب بالایی (از مرتبه cm-1105) در ناحیه مریی بودند. گاف انرژی لایه ها محاسبه شده براساس رابطه تایوک برای لایه FASnICl2 برابر با eV 48/1 و برای لایه  MASnICl2 برابر باeV  54/1 است. در طیف نورتابی (PL) هر دو لایه پروسکایتی در دمای اتاق یک قله به نسبت شدید نزدیک گاف انرژی لایه ها دیده شد که شدت آن در لایه FASnICl2 به طور قابل توجهی بیشتر از لایه MASnICl2 بود. نتایج نشان داد که لایه پروسکایتی FASnICl2 سنتز شده دارای ساختار بلورین بهتر، مقاومت الکتریکی کمتر، حساسیت و پاسخ نوری مناسب تر در مقایسه با لایه MASnICl2 است و می تواند گزینه مناسبی برای استفاده به عنوان لایه جاذب در سلول های خورشیدی باشد.