بررسی ناپایداری نانوانبرک ساخته شده از نانوسیم در میدان مغناطیسی

کاربرد گسترده نانوانبرک ها در صنایع پیشرفته و اهداف پزشکی منجر به شرایط کاری جدیدی برای این گونه ابزارها از جمله قرارگرفتن در میدان مغناطیسی خارجی شده است. در این مقاله، رفتار ناپایداری الکترومغناطیسی انبرک های ساخته شده با نانوسیم که تحت تاثیر یک میدان مغناطیسی طولی قرار گرفته اند، شبیه سازی شده است. باتوجه به اهمیت وابستگی به اندازه در ابعاد بسیار کوچک، معادله ساختاری سیستم برپایه تیوری تنش کوپل سازگار استخراج شده است. علاوه بر این، تاثیر نیروهای واندروالس و نیروی کازیمیر در مدل ارایه شده در نظر گرفته شده است. برای حل معادلات غیرخطی حاکم بر رفتار سیستم، پاسخی نیمه تحلیلی مبتنی بر روش اغتشاشات  هموتوپی ارایه شده است. تاثیر پدیده های مختلف از قبیل وابستگی به اندازه، نیروی کازیمیر، نیروی واندروالس و میدان مغناطیسی بر ولتاژ ناپایداری و دامنه عملکرد انبرک های ساخته شده با نانوسیم بررسی شده است. نتایج بیانگر تاثیر چشمگیر وجود میدان مغناطیسی بر ناپایداری کششی و دامنه عملکرد نانوانبرک هاست.