بررسی جذب یک سویه فلوئور بر روی گرافن به روش دینامیک مولکولی

جذب فلویور بر گرافن سبب تنظیم شکاف انرژی و در نتیجه گرافن آلاییده به فلویور یکی از ترکیباتی است که موجب کاربردی شدن گرافن در صنایع الکترونیک می شود. در این مقاله نقش دما و غلظت اتم های فلویور بر فرآیند جذب یک سویه صفحه گرافن و دو سویه آن بررسی شده است. نتایج این مطالعه نشان می دهند که تعداد اتم های فلویور که جذب صفحه گرافن می شوند با افزایش غلظت گاز فلویور تا مقدار معینی افزایش می یابند و سپس با افزایش بیشتر غلظت ثابت باقی می-مانند. همچنین با افزایش دما تا حدی که ساختار گرافن مختل نشود، سبب افزایش تعداد پیوندهای C-F می شود. همچنین مشاهده شد که چیدمان فلویورهای جذب شده چنان است که از افزایش اختلال در توازن بین دو زیر شبکه گرافن جلوگیری شود.