طراحی تقویت کننده کم نویز فراپهن باند با استفاده از تکنیک معکوس کننده با پیک زنی القایی

در این مقاله، یک تقویت کننده کم نویز در باند فرکانسی فراپهن GHz 6/10-1/3 با استفاده از تکنولوژی nm CMOS 130 طراحی شده است. در این مدار از تکنیک سورس تبهگنی برای گسترش پهنای باند و ایجاد تطبیق ورودی و از تکنیک استفاده مجدد جریان برای دستیابی به بهره بالا استفاده می شود. همچنین از آنجا که اغلب تکنیکهای تطبیق امپدانس خروجی موجب تضعیف بهره یا خطسانی می شود، از تکنیک معکوس کننده با پیک زنی القایی استفاده شده است تا علاوه بر فراهم نمودن تطبیق امپدانس 50 اهمی در خروجی، بهره و خطسانی را نیز بهبود دهد. این تکنیک رفتار هارمونیک سوم را بهبود و بهره را dB 7/2 افزایش داده است. مدار پیشنهادی دارای S11 کمتر از dB 1/9-، S22 کمتر از dB 10-، ماکزیمم بهره dB 6/19، عدد نویز بین dB 7/2-2، توان مصرفی mw 28 و IIP3 با مقدار dBm 5/3- می باشد. همچنین ابعاد جانشانی طرح برابر µm 4/701 × µm84/991 است. مزایای ساختار پیشنهادی در مقایسه با ساختارهای فراپهن با تکنولوژی یکسان، در بهره بالاتر، عدد نویز کمتر و تطبیق بهتر خروجی می باشد.