بهبود مشخصه های خطینگی تقویت کننده های توان GaN بر مبنای تزریق سیگنال هارمونیک دوم

در این مقاله طرح جدیدی برای بهبود مشخصه های خطینگی تقویت کننده توان های GaN ارایه شده است. مبنای این طرح تزریق سیگنال هارموینک دوم ساخته شده به ورودی تقویت کننده توان مورد نظر از طریق یک مسیر پیشخورد است. با استفاده از نتایج تیوری و شبیه سازی های دو-تن، اثر تزریق هارمونیک دوم بر مشخصه های خطینگی تقویت کننده های توان بررسی شده است. یک مدار خطی ساز فعال سه پورتی با قابلیت تولید سیگنال هارمونیک دوم با دامنه و فاز قابل تنظیم برای پیاده سازی روش مذکور پیشنهاد شده و برای بهبود خطینگی دو تقویت کننده توان ده وات طراحی شده با مشخصه های غیرخطی مختلف مورد ارزیابی قرار گرفته است. همچنین، به عنوان اعتبار سنجی، مدار پیشنهادی ساخته شده و برای خطی سازی یک تقویت کننده توان GaN، مورد استفاده قرار گرفته است. نتایج شبیه سازی و اندازه گیری نشان داد که با تزریق سیگنال هارمونیک دوم تولیدی و تنظیم مناسب دامنه و فاز این سیگنال می توان علاوه بر بهبود مشخصه های خطینگی شامل اینترمدولاسیون مرتبه سوم (IMD3)، نسبت توان کانال مجاور (ACPR) و مشخصه AM-PM، نقطه اشباع dB-1 را نیز افزایش داد.