مقسم توان موجبر مجتمع شده در زیرلایه با پهنای باند وسیع در صفحه H با قابلیت کنترل توان های خروجی

و ساخت یک مقسم توان با استفاده از تکنولوژی موج بر مجتمع شده در زیر لایه </sup>با قابلیت کنترل توان های خروجی ارایه شده است. طراحی بر اساس مقسم توان موج بری در صفحه H انجام شده است که در آن از موج بر مجتمع شده در زیر لایه به جای موج بر مستطیلی استفاده می شود. درنتیجه مقسم توان ساخته شده دارای ابعاد کوچک و قیمت ارزان و همچنین سازگار با ساختارهای مسطح ماکروویوی است. کنترل توان های خروجی با استفاده از جداکننده صورت می گیرد. در موج بر مجتمع شده در زیر لایه قسمت جداکننده توسط مجموعه ای از سوراخ های متالیزه شده ساخته شده است. تغییر موقعیت جداکننده موجب تغییر انتقال توان به خروجی ها می شود. تطبیق امپدانسی و تطبیق مد انتشار بین موج بر مجتمع شده در زیر لایه و خطوط مایکرواستریپ ورودی و خروجی توسط قسمت انتقالی </sup>صورت می گیرد. دو مقسم توان یکی با خروجی های یکسان و دیگری با خروجی های متفاوت بر اساس نتایج شبیه سازی ساخته شدند. نتایج اندازه گیری طراحی های انجام شده را تایید می کنند. پهنای باند امپدانسی هر دو مقسم توان ساخته شده وسیع است؛ و تفاوت توان های خروجی در پهنای باند وسیعی دیده می شود. بر اساس نتایج اندازه گیری پهنای باند مقسم های توان با خروجی های یکسان و متفاوت به ترتیب 4/3 گیگاهرتز و 2 گیگاهرتز است. علاوه بر این تحلیل پارامتری مقسم توان جهت تعیین اثر ابعاد مختلف آن روی مشخصات الکتریکی انجام شده است.