شبیه سازی و بهینه سازی ترانزیستور تونلی دو گیتی- دو ماده ای

در این مقاله ما به طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور تونلی جدید پرداخته ایم. ترانزیستورهای فت تونلی بدلیل سازوکار جریان تونل زنی نوار به نوار، دارای جریان نشتی کم و شیب زیرآستانه کمتر از mV/dec60 هستند و می توانند به عنوان جایگزینی مناسب برای ماسفت به منظور استفاده در مدارات کلیدزنی توان پایین باشد. با این حال؛ عیب این ترانزیستورها جریان حالت روشن کمتر آن ها نسبت به ترانزیستورهای ماسفت است. در این مقاله یک ساختار ترانزیستور تونلی دو گیتی - دو ماده ای بهینه شده پیشنهاد شده که با اضافه کردن دو ناحیه با آلایش ذاتی به ساختار فت تونلی دو گیتی رایج، سعی در افزایش نرخ تونل زنی حامل ها در مقایسه با ترانزیستورهای تونلی مرسوم شده است. طراحی و شبیه سازی با استفاده از نرم افزار سیلواکو - اتلس بصورت دوبعدی صورت گرفته است. نتایج محاسبه شده بصورت زیر است: جریان حالت روشن برابر A/µm6-10×49/5، جریان حالت خاموش برابرA/µm 18-10×2، شیب زیرآستانه برابر mV/dec02/15 و نسبت Ion/Ioff برابر 1012×74/2. نتایج حاصله نشان دهنده بهبود پارامترهای DC افزاره است.