ساخت کامپوزیت لایه ای TaC-TiC/ TaC-TiC-Graphene و بررسی مقاومت به اکسیداسیون آن

در این پژوهش به منظور بررسی اثر گرافن برمقاومت به اکسیداسیون، ابتدا کامپوزیت لایه ای TaC-TiC-SiC/TaC-TiC-SiC-G با روش تفجوشی پلاسمای جرقه ای در دمای 1850c، در زمان 8min  و فشار 35Mpa  تفجوشی شد. برای بررسی مقاومت به اکسیداسیون، نمونه در دماهای 400، 500، 600 و c 700 برای مدت 30 دقیقه در کوره جعبه ای تحت اتمسفر هوا قرار گرفت. برای بررسی مقاومت به اکسیداسیون نمونه ها از آنالیز الگوی پراش پرتو ایکس و آنالیز حرارتی و همچنین تصویربرداری از نمونه ها با میکروسکوپ الکترونی روبشی انجام شد. نتایج نشان داد، افزایش دما با کاهش وزن برای نمونه ها همراه بود که بیانگر تجزیه و اکسیداسیون کاربید تانتالوم، کاربید تیتانیوم، کاربید سیلیکن و گرافن می باشد. نتایج XRD نشان داد که طی فرآیند اکسیداسیون فازهایی چون  Ta2O5و SiO2 در ریزساختار نمونه تشکیل می شوند و مقدار آن ها با افزایش دما، افزایش می یابد. مشخص شد که رشد دانه تا دمای 600c به مقدار ناچیز بود ولی در دماهای بالاتر رشد دانه چشمگیری اتفاق افتاد. همچنین مشخص شد که تا زیر دمای 900c همه فعل و انفعالات گرمازا بودند و بالاتر از آن فعل و انفعال گرماگیر در یک مرحله اتفاق افتاد.