LSBB مبدل سطح ولتاژ مبتنی بر اریب سازی بدنه

امروزه، طراحان سیستم های مدرن دیجیتال و آنالوگ به منظور افزایش کارایی سیستم از چندین سطح ولتاژ در یک مدار استفاده می کنند. برای تبدیل سطوح ولتاژ در مدارهای با کارایی بالا، استفاده از مدارهای مبدل سطح ولتاژ با سرعت بالا و مصرف کم ضروری است. در این مقاله، یک مدار مبدل سطح ولتاژ با کارایی بالا با نام LSBB ارایه می گردد که از سه بخش اریب سازی بدنه، مدار آینه جریان و مدار بالاکشنده و پایین کشنده تشکیل شده است. ایده اصلی این طراحی، استفاده از مدار اریب ساز برای وابسته کردن پایه بدنه ترانزیستورهای طبقات ورودی به ولتاژ VDDL است. این وابستگی منجر به تغییرات ولتاژ آستانه و در نتیجه تغییر تاخیر و توان مصرفی در راستای افزایش کارایی مدار می گردد. پیاده سازی در فناوری 180 نانومتر TSMC و شبیه سازی با مقدار VDDL برابر با 4/0 ولت، VDDH معادل 8/1 ولت و فرکانس ورودی 1 مگاهرتز حاکی از عملکرد صحیح و با کارایی بالای مدار پیشنهادی دارد. مقادیر تاخیر 9/21 نانوثانیه، توان مصرفی 129 نانووات و حاصل ضرب توان- تاخیر برابر با 2825 نانووات در نانوثانیه، موید کارایی بالای مدار پیشنهادی است.