کاهش ارتفاع آنتن دوقطبی مغناطیسی الکتریکی با قطبش دایروی و خطی با استفاده از رسانای مغناطیسی مصنوعی

در این مقاله راهکاری برای کاهش ارتفاع آنتن های دو قطبی مغناطیسی الکتریکی با استفاده از ساختار رسانای مغناطیسی مصنوعی به عنوان صفحه زمین آنتن ارایه شده است. در این کار دو آنتن مورد بررسی قرار گرفته است. آنتن اول با قطبش خطی و آنتن دوم با قطبش دایروی راستگرد می باشد. در آنتن با قطبش خطی یک آرایه 7 در 7 از سلول رسانای مغناطیسی مصنوعی (AMC) که در فرکانس 3.5 GHz طراحی شده است بر روی صفحه زمین آنتن قرار داده شده است. با جایگذاری رسانای مغناطیسی مصنوعی ارتفاع آنتن اول تا اندازه λ 0.16 کاهش یافته است. پهنای باند امپدانسی حاصل از شبیه سازی برای مقادیر |S11|<[-10dB] برابر با 1.9 GHz از فرکانس 2.3 GHz تا فرکانس 4.2 GHz ((58.46%و پهنای باند امپدانسی اندازه گیری شده برای نمونه ساخته شده برابر با 2.13 GHz از فرکانس 2.21 GHz تا فرکانس 4.34 GHz (65.03%) می باشند. آنتن دوم یک آنتن دو قطبی مغناطیسی الکتریکی با قطبش دایروی راستگرد است که با یک خط تغذیه به شکلY تغذیه می شود. با استفاده از یک آرایه 5 در5 از سلول رسانای مغناطیسی مصنوعی بر روی صفحه زمین آنتن، ارتفاع آن تا λ 0.13 کاهش یافته است. پهنای باند امپدانسی حاصل از شبیه سازی برای مقادیر |S11|<[-10dB] برابر با 1.24 GHz از فرکانس 2.46 GHz تا فرکانس 3.7 GHz (40.25%)و پهنای باند حاصل از اندازه گیری نمونه ساخته شده برابر با 1.3 GHz از فرکانس 2.38 GHz تا فرکانس 3.68 GHz (44.52%) می باشند.