بررسی عملکرد ترانزیستور شاتکی ژرمانیومی با قابلیت پیکربندی مجدد و سورس توسعه یافته برای کاربردهای CMOS پیشرفته

در این مقاله عملکرد ترانزیستور شاتکی با قابلیت پیکربندی مجدد و کانال ژرمانیومی به همراه سورس توسعه یافته به طور کامل مورد بررسی قرار گرفته است. اثر پارامترهای مهم طراحی بر عملکرد این افزاره مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته است. این افزاره قابلیت عملکرد کانال n و کانال p را تنها با تغییر بایاس الکترودهای مربوطه دارد و نیازی به تغییر آلایش فیزیکی افزاره نیست. به دلیل بکارگیری ساختار سورس توسعه یافته، مساحت ناحیه تونل زنی در فصل مشترک سورس با کانال افزایش یافته که این مسیله منجر به بهبود خاصیت کلیدزنی افزاره و کاهش ولتاژ آستانه لازم برای شروع پدیده تونل زنی می گردد. تابع کار گیت یک مشخصه مهم افزاره است که برای دستیابی به کمترین جریان حالت خاموش در کانال n و کانال p لازم است مقدار بهینه ای برای آن تعیین گردد. براساس نتایج شبیه سازی، نسبت جریان روشن به خاموش 104×5.26 و 104×5.9 به ترتیب برای افزاره های کانال n و کانال p بدست آمده است. همچنین فرکانس قطع در حدود GHz 3T= f برای هر دو افزاره کانال n و کانال p محاسبه گردیده است. نتایج این مقاله چشم انداز روشنی را برای توسعه مدارهای منطقی توان پایین با قابلیت برنامه ریزی مجدد فراهم میکند.