پمپ بار افزاینده DC بهینه یافته در تکنولوژی 180 نانومترCMOS مناسب برای کاربردهای راداری و شناسایی از طریق فرکانس های رادیویی
نویسنده:
نوع مقاله:
مقاله پژوهشی/اصیل (دارای رتبه معتبر)
چکیده:
در این مقاله یک پمپ بار جدید در تکنولوژی CMOS طراحی و پیاده سازی شده است. با بکارگیری بایاس بدنه برای کاهش ولتاژ آستانه و کنترل ولتاژ با بکارگیری مدار مرجع ولتاژ، به مدار افزاینده ولتاژ DC به DC با راندمان بالا جهت تامین ولتاژ ورودی در حد 320 میلی ولت و ولتاژ خروجی بالای یک ولت دست یافته شده است. شبیه سازی های لازم انجام شده است تا بتوان مدار افزاینده ولتاژ پیشنهادی را در حالتی که نتایج نزدیک به نتایج ساخت باشد بتواند تحلیل شود. مشخصات حاکی از آن است که در مقایسه با کارهای انجام شده قبلی، از خازن های کوچکتر جهت کاهش مساحت مدار و همچنین ولتاژ خروجی بالا با بکارگیری حداقل تعداد ترانزیستور بهره برده شده است. نتایج شبیه سازی با خازن پمپ بار 25 پیکوفاراد در هر طبقه و فرکانس پالس ساعت 200 کیلوهرتز نشان می دهد که ولتاژ ورودی 350 میلی ولت در کمتر از 2 میلی ثانیه به 1.2 ولت می رسد. مدار پیشنهادی می تواند مناسب برای کاربردهای با توان مصرفی پایین و بکارگیری برداشت انرژی برای تامین ولتاژهای موردنیاز در مدارهای راداری و شناسایی از طریق فرکانس های رادیویی باشد.
کلیدواژگان:
زبان:
فارسی
صفحات:
67 تا 73
لینک کوتاه:
magiran.com/p2697253
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یکساله به مبلغ 1,390,000ريال میتوانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
توجه!
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.
In order to view content subscription is required
Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!