رشد بلور (Bi2Te3)0.96(Bi2Se3)0.04 به روش رشد ناحیه ای و بررسی تغییرات شیمیایی ترکیب در راستای رشد

ترکیب (Bi2Te3)0.96(Bi2Se3)0.04 نیمرسانای نوعn- برای استفاده در سیستم های سرد کننده ی ترموالکتریکی است. تک بلور این ترکیب به روش رشد ناحیه ای رشد داده شد و توان ترموالکتریکی (σ α 2) در امتداد رشد نمونه ی بلورین که در آن σ رسانایی الکتریکی، α ضریب سیبک است اندازه گیری شد. در این اندازه گیری شیب چشم گیری در توان ترموالکتریکی در امتداد نمونه مشاهده شد. ساختارهای ترکیب در بخش هایی از بلور رشد داده شده به روش آنالیزXRD مورد بررسی قرار گرفت. تغییرات ترکیب شیمیایی (تابع توزیع Bi2Se3) برازش هم ارزی با تغییرات توان ترموالکتریکی در امتداد میله ی رشد داده شده دارد. فرایند تجربی رشد بلور با تحلیل ریاضی شبیه سازی شد. با تحلیل ریاضی شیب تراکم Bi2Se3 در امتداد نمونه ی رشد داده شده بررسی و معلوم شد که در فرایند رشد تغییرات مقدار Bi2Se3 در راستای رشد بلور Bi2Se3-Bi2Te3 چشم گیر است.