بررسی مدهای اپتیکی آلیاژ InxGa1-xN و چاه کوانتومی چندتائی In0.5Ga0.5N/GaN در ناحیه فروسرخ دور

خواص اپتیکی چاه های کوانتومی چندتائی In0.5Ga0.5N/GaN و آلیاژ InxGa1-xN در ناحیه فرو سرخ دور (Far-IR) مورد بررسی قرار گرفته اند. طیف بازتابی چاه کوانتومی چندتائی In0.5Ga0.5N/GaN با زیر لایه GaAs در ناحیه فروسرخ دور، با استفاده از تقریب محیط مؤثر، و پاسخ آن به نور قطبیده مایل s و p بررسی شده است. طیف حاصله و پاسخ تابع دی الکتریک اطلاعات مفیدی از سهم فونونی و پلاسمونی در چاه کوانتومی را ارائه می نماید. همچنین کسر مولی ترکیبات در آلیاژ و تغییرات محل مدهای اپتیکی وسیله مناسبی جهت اندازه گیری میزان حاملهای آزاد و میزان کسر مولی در نمونه هاست. در بررسی طیف بازتابیInxGa1-xN، دو ناحیه Reststrahlen جدا از هم با بسامدهایی نزدیک GaN خالص و InN خالص به ازاء مقادیر مختلف ترکیب مشاهده شده اند. با کاهش غلظت هر ترکیب در آلیاژ، هر ناحیه به سمت بسامدهای پائین تر با دامنه کمتر جابه جا می شوند. آنالیز تابع دی الکتریک، تغییرات بسامد مدهای اپتیکی طولی LO و عرضی TO آلیاژ را با تغییر x نشان می هد. در حالت آلائیده تغییر بسامدهای مد LO به علت جفتیدگی مد فونون و پلاسمون مشاهده می شود.