ایجاد ریزساختار هدفمند در آلیاژ هیپویوتکتیک Al-11 wt.% Mg2Si با استفاده از روش ریخته گری گریز از مرکز

یکی از روش های ایجاد ناهمگنی هدفمند در ریزساختار مواد، روش ریخته گری گریز از مرکز است که در آن نیروی گریز از مرکز منجر به توزیع درجه بندی شده ای از فازهای ریزساختاری در حین ریخته گری و انجماد می شود. بر این اساس، در این پژوهش با آماده سازی مذاب هیپویوتکتیک با ترکیب Al-11 wt.% Mg2Si و ریخته گری گریز از مرکز آن، استوانه هایی با شیب ترکیبی و فازی، در راستای شعاعی ریخته گری شدند. با بررسی ریزساختار استوانه های ریختگی در جهت شعاعی، دو لایه ی متمایز ریزساختاری به ترتیب با کسر حجمی بالای دانه های α-Al در سطوح خارجی و درصد بالای ریزساختار یوتکتیکی Al/Mg2Siدر سطوح داخلی قابل تشخیص بودند. در مرحله ی بعد، نمونه های ریخته شده در دمای ̊C530 به مدت 10 ساعت محلول سازی شده و پس از تبرید در آب، به مدت 8 ساعت در ̊C175پیرسازی شدند. بررسی ریزساختار نمونه ها نشان می دهد که عملیات حرارتی باعث تبدیل ذرات Mg2Si لایه ای موجود در ساختار یوتکتیکی سطوح داخلی به ساختار ریز شبه یوتکتیکی نقطه ای می شود. ساز و کار تشکیل چنین ساختار مرکب یوتکتیکی موضوعی است که در مقاله به آن پرداخته می شود.