مدلسازی ترانزیستور اثر میدانی گرافینی با کانال شامل دو نقطه ی کوانتومی جفت شده

در این مقاله یک نوع ترانزیستور گرافینی اثر میدانی جدید با ترابرد تونل زنی تشدیدی معرفی و مدل سازی می-شود که برای بسیاری از ساختارهای غیرگرافینی دوبعدی مسطح هم که دارای نوار ممنوعهانرژی هستند قابل کاربرد است. همانند سایر ترانزیستورهای اثر میدانی بر پایه ی گرافین، جریان، از طریق نوار دو بعدی گرافینی برقرار می شود. اما در اینجا، با انتخاب منبع و درین نوع p و نیزهندسه ی ویژه ی الکترود گیت، کانال گرافینی، به دو نقطه کوانتومی تبدیل می شود که به صورت سری به هم متصل اند. شدت جفت شدگی بین دو نقطه کوانتومی و اندازه ی این نقاط، مشخصه ی جریان کانال را تعیین می کنند. تونل زنی تشدیدی در مشخصه جریان-ولتاژ سیستم، مشاهده می شود.