امکان سنجی بکارگیری عناصر نیمه هادی از نوع PIN به منظور دزیمتری پرتوهای ایکس تشخیصی

یکی از نیازهای اساسی جهت انجام اقدامات لازم برای جلوگیری از خطرات ناشی از تابش هایی که واقعا ضرروی نیستند و تعداد زیادی از مردم را در بر می گیرد دانستن میزان دز بیماران در طول آزمایشات رادیولوژی است. بدین منظور در سال های اخیر مطالعات گسترده و رو به رشدی جهت ساخت آشکارسازها با استفاده از عناصر نیمه هادی انجام گرفته است. از آنجا که این عناصر دارای قیمت کم و ابعاد کوچک است و بوسیله آن ها می توان اطلاعات مربوط به دز دریافتی را در لحظه و بدون هیچ صرف وقتی بدست آورد بسیار مورد توجه است. هدف از انجام این مطالعه، طراحی و امکان سنجی ساخت یک دزیمتر با استفاده از عناصر نیمه هادی برای دزیمتری پرتوهای ایکس تشخیصی است. در این طرح دیود سیلیکونی PIN مورد استفاده قرار گرفت و یک مدار پایه به منظور آشکارسازی پرتوهای ایکس تشخیصی طراحی و اجرا گردید. جهت تعیین ارتباط منطقی بین رفتار الکترونیکی سنسور PIN و پارامترهای مشخصه پرتو ایکس (KV،mA،S)، مدار ساخته شده در کنار یک دزیمتر یونیزاسیون کالیبره شده و به طور همزمان تحت تابش پرتوهای ایکس تشخیصی با انرژی و شدت های متفاوت قرار گرفت. در نهایت سیگنال به دست آمده توسط مدار ساخته شده با مقادیر دز دریافتی ثبت شده توسط دزیمتر یونیزاسیون، مقایسه گردید. نتایج بدست آمده از بررسی رفتار دو دزیمتر به طور همزمان نشان می دهد که پاسخ دزیمتر طراحی شده در زمان های مختلف تابش به صورت تقریبا خطی می باشد در حالیکه پاسخ آن در ولتاژهای پایین بصورت خطی و در ولتاژهای بالا ارتباط مشخص و خطی ندارد. به نظر می رسد که فوتودیود مورد استفاده، با توجه به در دسترس بودن، قیمت پایین و دادن پاسخ به صورت در لحظه، می تواند به عنوان یک دزیمتر به منظور اندازه گیری مقادیر دز پرتوهای ایکس تشخیصی در انرژی های پایین مورد استفاده قرار گیرد.