بررسی عملکرد مالتی پلکسر سه ارزشی مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی

با توجه به کاهش مقیاس قطعات نیمه هادی و مدارات مجتمع تا میزان محدوده نانومتر، صنعت نیمه هادی با چالش های زیادی روبرو خواهد بود. ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی به دلیل ابعاد بسیار کم، سرعت بالا و مصرف کم توان و همچنین به خاطر مشابه بودن عملکردشان با CMOS توجه طراحان مدارهای منطقی و سیستم دیجیتالی را جلب کرده اند. استفاده از منطق چند-ارزشی (MVL) به دلیل کاهش عملیات ریاضی، موجب کاهش سطح تراشه و کاهش توان مصرفی در مقایسه با منطق دو ارزشی می شود. در این مقاله یک طراحی جدید از مالتی پلکسر با منطق سه ارزشی مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی (CNTFET) ارایه شده است. در نهایت، یک مقایسه از لحاظ توان و عملکرد مالتی پلکسر سه ارزشی CNTFET در برابر مالتی پلکسر سه ارزشی خانواده CMOS که طراحی آن نیز در این مقاله انجام شده، ارایه شده است. در ادامه نتایج شبیه سازی که با بهره گیری از نرم افزار HSPICE در تکنولوژی 32 نانومتر به دست آمده ارایه گردیده است. نتایج شبیه سازی بهبود 60% تا 65% در مقدار تاخیر، %96.4 تا 98% در مقدار توان مصرفی و تقریبا 99% در مقدار انرژی مصرفی مدار مالتی پلکسر سه ارزشی مبتنی بر CNTFET را نسبت به مدار مشابه مبتنی بر CMOS پیشنهادی نشان می دهد. همچنین PDP به میزان 99% بهبود می یابد.