پتانسیل پاشندگی یک اتم حالت پایه در محیط های مغناطوالکتریک اتلافی با پاسخ غیر موضعی

به کمک روش اختلال، رابطه انرژی پتانسیل پاشندگی یک اتم الکتریکی و یا مغناطیسی حالت پایه در حضور مواد مغناطوالکتریک اتلافی را به محیط های غیرموضعی تعمیم داده ایم. از آنجایی که رابطه نهایی به هندسه سیستم وابسته است، می توان نیروی کازیمیر-پولدر را نیز در چنین سیستم هایی با محاسبه شیب انرژی پتانسیل به دست آورد. اگرچه رابطه پتانسیل به لحاظ شکل ظاهری کاملا مشابه با رابطه متناظر در محیط های موضعی می باشد که پیش تر به دست آمده است، اما به دلیل تفاوت تانسور گرین محیط های موضعی با محیط غیرموضعی و وابستگی رابطه نهایی پتانسیل پاشندگی به تانسور گرین محیط، نتایج کاملا متفاوتی به دست می آوریم.