ترابرد الکترونی و رسانندگی الکتریکی حاملین بار درتک بلورهای GaAs از نوع P در محدوده ی دمایی (400-100) درجه ی کلوین

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می شود. این ساختار به ساختار شبکه ی بلوری الماس بسیار شبیه است. از این نیمرسانای استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند مدارهای مجتمع، دیودهای مادون قرمز، دیودهای لیزری و سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است. در این مقاله رسانندگی الکتریکی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانایی GaAs هستند به ترتیب با عناصر Cr وFe آلاییده شده اند. این ناخالصی ها ناهمگنی زیادی را در شبکه ی GaAs به وجود می آورند و از این لحاظ مکانیزم پراکندگی خاصی را برای حاملین بار در GaAs ایجاد می کنند. در این کار تجربی رسانندگی الکتریکی حاملین در گستره ی دمایی (400-100) درجه ی کلوین برای هر دو نمونه مذکور مورد بررسی قرار گرفته است.