مشخصه یابی ساختارهای دورآلاییده وارون p-Si/SiGe/Si با روش های پرتو X و الکتریکی
نویسنده:
چکیده:
در این کار، ساختارهای رونشانده تکریخت دور آلائیده وارون p-Si/Si1-xGex/Si با پراش پرتو X و روش الکتریکی مشخصه یابی شده اند. در نتیجه سمتگیری متفاوت صفحات براگ همخوان با لایه کرنش یافته تراکمی SiGeنسبت به لایهSi، می توان نسبت Ge ()، و ضخامت لایه پوششی () را با شبیه-سازی کامپیوتری شدت و جدائی زاویه ای قله های (004) مشاهده شده در طرح پراش این ساختارها تعیین کرد. از طرفی در لایه SiGe، یک گاز حفره ای دو بعدی با چگالی سطحی تشکیل و به روش هال اندازه گیری شد و با اعمال ولتاژ متناسب به دریچه مصنوعی () قابل کنترل است. در مشخصه یابی به روش الکتریکی، دو مشخصه و با برازش نظری تغییرات خطی بر حسب به دست آمده اند. در خاتمه عوامل مؤثری که موجب عدم قطعیت نتایج هر روش و اختلاف جزئی آنها می شود نیز توضیح داده شده-اند.
کلیدواژگان:
ساختار Si ، SiGe ، مشخصه یابی Si ، SiGe ، پرتو X و روش هال
زبان:
فارسی
صفحات:
135 تا 146
لینک کوتاه:
magiran.com/p730529
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یکساله به مبلغ 1,390,000ريال میتوانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
توجه!
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.
In order to view content subscription is required
Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!